Vishay POWERPAK®1212MOSFET
Vishay POWERPAK® 1212 MOSFETは、スイッチングアプリケーションに最適で、約1mΩ のダイオン抵抗が特徴で、最大85Aまで対応可能です。Vishay POWERPAK 1212には、高性能ダイの劣化のリスクを軽減するパッケージング技術を導入しています。このパッケージには、コンパクトな設計での超低熱インピーダンスが備わっており、スペースに制約のあるアプリケーションに最適です。
特徴
- スイッチングアプリケーションに最適
- およそ1mΩのダイオン抵抗、最大85Aまで対応可能
- コンパクト設計での超低熱インピーダンス
- 高性能ダイの劣化のリスクを軽減するパッケージングテクノロジー
- スペースに制約のあるアプリケーションに最適
アプリケーション
- スイッチングアプリケーション
- スペースに制約があるアプリケーション
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性能
注目製品
Vishay / Siliconix SiS176LDN Nチャンネル70V (D-S) MOSFET
TrenchFET® Gen IVパワーMOSFETテクノロジーが活用されており、PowerPAK® 1212-8シングルパッケージに収められています。
Vishay Semiconductors TrenchFET® Gen III Power MOSFETs
Offers low on-resistance and on-resistance times gate charge.
Vishay / Siliconix TrenchFET Gen IV MOSFET
業界最小のオン抵抗、1.35mΩ @4.5Vを実現。
Vishay / Siliconix TrenchFET Gen VパワーMOSFET (VDS搭載）
非常に低いRDS x Qg 性能指数(FOM) で電力変換効率を向上させます。
Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs
Industry-best on-resistance in a variety of package configurations.
Vishay / Siliconix TrenchFET Gen III Pチャンネル・パワーMOSFET
オン抵抗と電圧降下が低く、効率性とバッテリ時間を向上させています。
Vishay / Siliconix SQ車載用パワーMOSFET
AEC-Q101準拠TrenchFET®パワーMOSFETは、設計の柔軟性に向けさまざまなパッケージオプションがあります。
Vishay / Siliconix SQS414CENW車載用N-Ch 60V (D-S) 175°C MOSFET
TrenchFET® パワーMOSFETテクノロジーが搭載されており、PowerPAK® 1212-8 Wシングルパッケージに収められています。
Vishay / Siliconix SiSD5300DN 30V NチャンネルMOSFET
熱性能を向上させるソースフリップテクノロジーが活用されているTrenchFET® Gen VパワーMOSFETです。