TKx シリコンNチャンネルMOSFET

東芝 (Toshiba) TKx シリコンNチャンネルMOSFETには、U-MOSX-HとDTMOSVIタイプがあり、卓越した性能特性を備えています。逆回復時間を短くし、ターンオフ状態とターンオン状態の間の遅延を低減し、高速スイッチングアプリケーションの効率を向上しました。ドレイン・ソース間のオン抵抗[RDS（on）]が低いため、電力損失を最小限に抑え、熱管理を改善することができ、大電流を低エネルギー消散で処理する必要があるアプリケーションに最適です。

結果: 20
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 O@10V, TOLL, DTMOS?
データシート
1,800在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TOLL, DTMOS?
データシート
1,800在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
データシート
1,997在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET
データシート
1,998在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TOLL, DTMOS?
データシート
2,000在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TOLL, DTMOS?
データシート
2,000在庫
最低： 1
複数： 1
リール: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?
データシート
73在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO247 650V 1.69A N-CH
データシート
205在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH
データシート
381在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH
データシート
284在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH
データシート
350在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH
データシート
312在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH
データシート
306在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH
データシート
209在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
データシート
16在庫
100予想2026/05/27
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TO-247, DTMOS?
データシート
30在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-220SIS, DTMOS?
データシート
50在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-247, DTMOS?
データシート
30在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
データシート
50在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
データシート
3在庫
150予想2026/06/15
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube