Vishay SISS94DN ThunderFET® MOSFET
Vishay SISS94DN ThunderFET® MOSFETは、ThundrerFET技術が活用されているTrenchFET®を採用しているNチャンネル200VDSデバイスです。このThunderFET® MOSFETは、RDS(on)、Qg、Qsw、Qossのバランスを最適化します。100% Rgおよび非圧着誘導スイッチング（UIS）試験を完了しています。このSISS94DN MOSFETは、PowerPAK 1212-8Sパッケージでご用意があり、無鉛（Pb）およびハロゲンフリー（SiSS94DN-T1-GE3）です。MOSFETは、-55°C～150°Cの温度範囲で動作し、シングル構成になっています。代表的なアプリケーションには、一次側スイッチング、同期整流、DC/DCトポロジ、照明、負荷スイッチ、モータ駆動制御があります。
特徴
- ThunderFET技術を活用したTrenchFET®によって、RDS(on)、QG、Qsw、Qossのバランスを最適化
- リーダーシップRDS(on)
- 100% RgのUIS試験済
アプリケーション
- 一次側スイッチング
- 同期整流
- DC/DCトポロジ
- 照明
- 負荷スイッチ
- ブーストコンバータ
- モータ駆動制御
仕様
- 200Vドレイン-ソース電圧（VDS）
- ドレイン・ソース間ON状態抵抗（RDS(on)）
- 0.075Ω（最高）@ VGS = 10V
- 0.078 Ω（最高）@ VGS = 7.5V
- 11nC（標準）総ゲート電荷（Qg）
- 29nC（標準）出力電荷（Qoss）
- 19.5A（連続）ドレイン電流（ID）
- 動作温度範囲: -55°C～150°C
標準出力特性
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公開: 2020-09-25
| 更新済み: 2024-12-23