onsemi NVXK2VR80WxT2シリコンカーバイド(SiC) モジュール
onsemi NVXK2VR80WxT2SiC（シリコンカーバイド）モジュールは、1,200V、80m Ω デュアル・インライン・パッケージ（DIP）に収められた3相ブリッジ・パワー・モジュールです。これらのSiCモジュールは、低総モジュール抵抗を備えるようにコンパクトに設計されています。NVXK2VR80WxT2パワーモジュールは、 AEC-Q101および AQG324により車載規格に適合しています。これらのパワーモジュールは無鉛でROHSに準拠しており、UL94V-0に準拠しています。NVXK2VR80WxT2 SiCモジュールの温度センシングと最低の熱抵抗によって、xEVアプリケーションでのPFCオンボード充電器に最適です。
特徴
- DIPシリコンカーバイド (SiC) 3相ブリッジパワーモジュール
- ドレイン・ソース間電圧（VDSS）：1200V
- 連続ドレイン電流(ID) – (NVXK2VR80WDT2):20A
- 連続ドレイン電流(ID) – (NVXK2VR80WXT2):31A
- ドレイン・ソースon抵抗(RDS (ON)) ： 80mΩ（標準）
- 動作接合部温度 (TJ)範囲：-55°C～175°C
- IEC60664-1およびIEC 60950-1に準じた沿面距離とクリアランス
- モジュール全体の抵抗を低く抑えるコンパクト設計
- 完全トレーサビリティのためのモジュール・シリアライゼーション
- 無鉛
- RoHS およびUL94V-0準拠
- AEC-Q101およびAQG324などの車載認定
アプリケーション
- xEVアプリケーションのオンボードチャージャ用PFC
- EV-PHEV向け11kW～22kWオンボードチャージャ
SiC MOSFET 3相ブリッジモジュール
関連のあるモジュール
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| 部品番号 | データシート | Id - 連続ドレイン電流 | Pd - 電力損失 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 | Vgs - ゲート-ソース間電圧 | Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 | チャンネル数 | 上昇時間 | 下降時間 | 長さ | 幅 | 高さ | パッケージ/ケース | パッケージ化 | RoHS - マウサー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVXK2VR80WDT2 |  |
20 A | 82 W | 116 mOhms | 1.2 kV | - 15 V, + 25 V | 4.3 V | 6 Channel | 12 ns | 9 ns | 44.2 mm | 29 mm | 5.8 mm | APM-32 | Tube | Y |
| NVXK2VR80WXT2 | |
31 A | 208 W | 116 mOhms | 1.2 kV | - 15 V, + 25 V | 4.3 V | 6 Channel | 12 ns | 9 ns | 44.2 mm | 29 mm | 5.8 mm | APM-32 | Tube | Y |
公開: 2024-08-06
| 更新済み: 2024-08-28