onsemi M1 EliteSiC MOSFET
onsemi M1 EliteSiC MOSFETは、 1,200Vおよび1,700Vの定格電圧を備えています。onsemi M1 MOSFET は、信頼性と効率が要求される大電力アプリケーションの要件を満たすように設計されています。M1 EliteSiC MOSFETは、D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LD、ベアダイをはじめとするさまざまなパッケージオプションでご用意があります。
特徴
- 電圧 1200V、1700V
- パッケージ D2PAK7、TO-247-3LD、TO-247-4LDベアダイ
- 最大ゲート-ソース間電圧 +22V/-10V
- 低RDS（on）および高い短絡耐量時間（SCWT）
- バランスの取れたスイッチング損失と導通損失
- 1200V IGBTの代替品として使用可能
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EliteSiCの詳細
公開: 2023-04-04
| 更新済み: 2024-08-29